2016年北京大学信息科学技术学院招生指南（微纳电子学系）

　　简介：北京大学微电子学与固体电子学专业的前身是在我国著名物理学家黄昆院士领导下由五所大学在北大联合创建的我国第一个半导体专门化；七十年代研制出我国第一块硅栅N沟道1KMOSDRAM，是我国微电子科学技术史上的重要里程碑，获全国科学大会奖。自80年代以来，在微电子学家王阳元院士的领导下，北京大学微电子学与固体电子学专业有了很大的发展，目前已成为我国微电子领域高层次人才培养和科学研究的重要基地之一，2001年被评为国家重点学科，2003年批准了首批国家集成电路人才培养基地的建设，2006年国家重点学科评估中名列微电子学与固体电子学专业第一。

　　北京大学微电子学与固体电子学专业现拥有四个国家或部委重点实验室，即国家级微米/纳米加工技术重点实验室、北方微电子研究开发基地新工艺新器件新结构国家计委专项实验室，北京市软硬件协同设计(原名软件固化)高科技重点实验室和微电子器件与电路教育部重点实验室。其中微电子科学技术工艺实验室拥有净化面积900平方米的4英寸亚微米集成电路超净工艺实验线，拥有各种先进的微电子加工及测试设备130余台套，可加工CMOS集成电路、超高速硅双极集成电路、CMOS/SOI集成电路和MEMS等。系统芯片(SOC)软硬件协同设计实验室面积约600m2，拥有2个11450服务器、70台先进的SUN工作站，150台微机,并配备了齐全的系统、逻辑、电路、器件、工艺以及MEMS等方面的最新EDA软件，如Cadence、Synopsys、MAGAMA、Ansys、Intellesuite等软件。

　　目前，该专业的研究方向主要有四个，即微纳电子器件及集成技术（ULSI）、系统集成芯片(SOC)设计及其设计方法学、集成微纳系统(MEMS/NEMS)技术和宽禁带半导体器件及集成技术。这四个研究方向均是当前国际微电子学学科发展的重点领域。

　　（1）微纳电子器件及其集成技术（ULSI）：该方向主要面向新一代微纳电子器件和工艺技术的需求，重点解决新一代微纳电子器件中的新材料、新工艺、新器件以及集成技术领域的问题和难点。重点开展亚100纳米以下新结构半导体器件及其集成技术、半导体器件模型模拟、小尺寸MOS器件可靠性物理及其应用、新型微纳电子材料研究等方面的研究；

　　（2）系统集成芯片(SOC)设计及其设计方法学：SOC将是21世纪微电子技术发展的重点之一。充分利用北京大学在微电子学与计算机科学技术、电路与系统、信号与信息处理紧密结合的优势，致力发展中国自主的系统集成芯片设计、数模混合集成电路设计、软硬件协同设计方法学。重点开展面向数模混合集成电路、SOC设计方法学、专用集成电路设计与开发、IP开发、MPW设计验证的环境建设等方面的研究；

　　（3）集成微纳系统(MEMS/NEMS)技术：该方向主要研究微机电（MEMS）与纳机电（NEMS）器件及系统。集成微纳系统集成了微电子技术、力学、机械学、物理学、化学以及生命科学技术，是一门新兴的学科和重大经济增长点。该方向重点研究MEMS/NEMS设计技术、微纳制造技术、新型MEMS/NEMS器件、封装技术、相关处理电路及系统集成技术。研究的器件和系统包括微型惯性器件、光MEMS、RFMEMS、微流控系统、生物MEMS以及新型NEMS器件等。

　　（4）宽禁带半导体器件及集成技术：主要面向新一代宽禁带半导体器件和电路的需求，从事宽禁带器件及集成技术的研究工作，重点开展宽禁带半导体微波器件及电路、开关器件、生物探测器、其它新型器件，以及辐射半导体探测器的结构设计技术、工艺技术、器件物理和可靠性的研究。

　　微电子学与固体电子学专业在这四个研究培养方向上均具有很好的研究基础，曾承担了近200项国家重点项目研究工作，经过了30余年的研究积累，取得了一系列创新成果，若干代表性工作被国际半导体技术路线图（ITRS）引用。在基础研究方面基本上与国际先进水平同步，在工艺技术和应用开发方面则总体上处于国内领先水平，部分居国际先进水平。先后获国家技术发明奖、国家科技进步奖等国家级和部委级奖励20余项，发表学术论文1000余篇（包括IEDM，VLSISymposium等顶级国际会议），出版专著和教材20余部，获得发明专利50余项。该学科点在国际上有比较高的知名度。

　　目前微电子学与固体电子学专业拥有一支结构合理，学术水平较高的学术梯队。其中获得基金委创新团队一个、教育部创新团队一个；长江特聘教授1人，国家杰出青年2人，教育部新世纪优秀人才2人。目前本学科点现有中科院院士1人，教授31人，副教授26人，讲师9人，其中博士生导师29人，具有博士学位的教师43人，他们的研究方向涵盖了目前微电子技术发展的主要领域。

　　该专业开展了广泛的国际合作，聘请了萨支唐（Univ.ofFlorida杰出研究教授，北京大学和清华大学名誉教授，美国工程院院士、中国科学院外籍院士）和葛守仁(UCBerkeley)、胡正明(UCBerkeleyEECS系主任，美国工程院院士)、施敏(台湾交通大学教授、美国工程院院士、中国工程院外籍院士)、高秉强（原HKUST工程院院长）、陈正豪（HKUST工程院院长)、朱剑豪（香港城市大学教授）、丛京生（美国UCLA教授）、田之楠（美国UCDavis教授）、云维杰（美国DEI公司高级研究员）、马佐平（美国耶鲁大学教授、中国科学院外籍院士）等一批国际著名高校的学者为兼职教授，还聘请了张汝京、俞滨（美国纽约大学教授）、赵阳（美国MEMSI公司总裁）、吴汉民（中芯国际）、季明华（中芯国际）等微电子产业界人士为兼职教授，并与Samsung、Motorola、Cadence、ADI等国际著名公司建立了4个联合实验室，保证我们的研究与国际水平同步。

　　（实习编辑：孙慧敏）